PODSTAWY MIKROELEKTRONIKI:  wykład 1 cz. 1


Streszczenie
Wroc



W dalszych wykładach będziemy mówić głównie o półprzewodnikowych układach scalonych CMOS. Są one podstawą współczesnej mikroelektroniki. W tych układach podstawowymi elementami czynnymi są dwa rodzaje tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką (w skrócie: tranzystorów MOS) - tranzystory z kanałem typu n i tranzystory z kanałem typu p. Wspominać także będziemy o układach bipolarnych, które służa dziś tylko do wytwarzania niektórych typów układów analogowych. W układach CMOS występują wprawdzie struktury, które można użyć jako tranzystory bipolarne, ale są to tranzystory o niewygórowanych parametrach i ograniczonych zastosowaniach. Istnieją jednak także technologie BiCMOS, w których można wytwarzać zarówno tranzystory MOS, jak i bipolarne o dobrych parametrach. Te technologie, skomplikowane i kosztowne, znajdują obecnie zastosowanie przede wszystkim w układach przeznaczonych do pracy przy częstotliwościach mikrofalowych. Nie będziemy o nich mówić w tym wykładzie.

Aby produkować półprzewodnikowe układy scalone, musimy dysponować odpowiednim podłożem półprzewodnikowym i móc wykonywać na nim następujące operacje technologiczne:
oraz móc nadawać warstwom domieszkowanym, dielektrycznym i przewodzącym wymagane kształty i wymiary. Służą do tego procesy fotolitografii.

W dalszej części tego wykładu pokazany będzie ciąg operacji technologicznych prowadzących do wytworzenia układu CMOS. Omówione będą struktury powstających w tym procesie tranzystorów MOS oraz budowa najprostszych bramek cyfrowych zbudowanych z takich tranzystorów.

Wroc
Dalej


sem. 08L